今日講講礦用變壓器的設計方法!礦用變壓器的設計方法有多種多樣，我覺得合適自身的就是較好的，挑選一個自已*了解的，可以掌握的就是較好的!

　　我先詳細介紹下一種礦用變壓器設計方法：

　　1.先明確鍵入工作電壓。

　　一般是依照*少鍵入直流電壓測算VINmin計算

　　a.如果直流電鍵入按直流電的*少鍵入來測算;

　　b.如果鍵入為交流電流，一般針對單相電溝通交流整流器用電容濾波，直流電壓不容易超出溝通交流鍵入電壓有效值的1.4倍，也不低于1.2倍。

　　例如，全范疇溝通交流鍵入85-265VAC的開關(guān)電源，一般按85VAC時測算，那VINmin=85*1.2=102V，一般會取整數(shù)按100VDC計算。

　　2.明確關(guān)斷時間ton。

　　關(guān)斷時間ton=T*D，T為周期T=1/f，D為較大pwm占空比，一般在*少鍵入電流的情況下，D會較大，確保輸出平穩(wěn)。留意大的pwm占空比可以減少初中級的電流有效值，和MOS的關(guān)斷耗損，可是依據(jù)伏秒規(guī)律，初中級pwm占空比變大，次級線圈的一定會小，那麼次級線圈的頂值電流量會增大，電流有效值變大，會致使輸出諧波失真增大!因此，一般單端反激拓撲結(jié)構(gòu)的pwm占空比選擇不必超出0.5。并且一般的電流量操縱方式，pwm占空比超過0.5得加直線斜率賠償?shù)?，對調(diào)節(jié)是個難度系數(shù)。也有一關(guān)鍵的都是你的pwm占空比決策你的匝比，匝比決定啥，哈哈哈，反射面工作電壓VF，忘記了再去上面看下，再添加你漏感造成的頂峰，*后危害你MOS的抗壓。pwm占空比越小匝比越小，反射面工作電壓VF越低，MOS的電壓內(nèi)應力小。相反MOS的工作電壓內(nèi)應力大，因此pwm占空比要考慮到好啦。要確保再*大工作電壓下你的VDS電壓在MOS的要求工作電壓下列，*好調(diào)額應用，排出充足的容量來!例如，開關(guān)電源的開關(guān)次數(shù)為100K，*少鍵入時的較大pwm占空比為0.4，那T=1/100000=10μS，那麼ton=0.4*10μS=4μS。

　　3.明確磁心的合理總面積AE。

　　AE一般會在磁心的資料中得出。

　　4.測算初中級線圈匝數(shù)NP。

　　NP=VINmin*ton/ΔB*AE，式中VINmin為直流電*少鍵入工作電壓;ton為關(guān)斷時間，AE為磁心的合理總面積，ΔB為磁場強度變化量，這一值和磁心材料，及升溫等相關(guān)，一般考工作經(jīng)驗來選擇，在0.1-0.3中間，獲得越大，容量越小，礦用變壓器在極端化狀況下越非常容易飽和狀態(tài)!本人一般取0.2。

　　5.測算次級線圈線圈匝數(shù)NS。

　　NS=(Vo+Vd)*(1-D)*NP/VINmin*D

　　式中Vo為輸出電壓

　　Vd為二極管管損耗

　　D為pwm占空比

　　NP為初中級線圈匝數(shù)

　　VINmin為*少鍵入工作電壓

　　6.明確次級線圈整流二極管的內(nèi)應力VDR。

　　上面算出礦用變壓器的初中級線圈匝數(shù)NP和次級線圈線圈匝數(shù)NS后，就可以得到次級線圈整流二極管的工作電壓內(nèi)應力

　　VDR=(VINmax*NS/NP)+VOUT

　　式中VINmax為較大鍵入工作電壓，要確保在*大鍵入工作電壓下你的二極管的電壓內(nèi)應力不超標準。一般算出來的這一VDR還需要考慮到調(diào)額應用，因此二極管的抗壓要高過這一VDR值。

　　一般也要在穩(wěn)壓管上并一個RC消化吸收，進而減少二極管反方向回應時間導致的工作電壓頂峰!尤其是CCM方式的情況下!

　　7.明確初中級電感器量LP。